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STE 53NC50 STM - MOSFET, N-Ch 500V 53A 0,07R, ISOTOP
N-CHANNEL 500V - 0,070O - 53A ISOTOP PowerMeshTMII MOSFET Der PowerMESHTMII ist die Weiterentwicklung der ersten Generation des MESH OVERLAYTM. Die eingeführten Layout-Verfeinerungen führen zu einer deutlichen Verbesserung der Ron*-Fläche und halten den Baustein an der Spitze, was Schaltgeschwindigkeit, Gate-Ladung und Robustheit angeht. Anwendungen • Hochstrom, hohe Schaltgeschwindigkeit • getaktete Stromversorgungen (smps) • Gleichspannungswandler für Schweißgeräte, unterbrechungsfreie Stromversorgungen und Motortreiber Beschreibung • typisches rds(on) = 0,07 O • extrem hohe dv/dt-Fähigkeit • 100% Avalanche-getestet • neuer Hochspannungs-Benchmark • Gate-Ladung minimiert
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Die Rolle des Radons (Isotop 222Rn) als Umweltfaktor – Eine Übersicht, Gebundene Ausgabe von Adolf Watznauer, De Gruyter, 978-3-11-249895-8Die Rolle Des Radons (isotop 222rn) Als Umweltfaktor – Eine Übersicht, Gebundene Ausgabe Von Adolf Watznauer, De Gruyter, 978-3-11-249895-8, Seitenanzahl: 40119,95 €*Versand: 0,00 €Sichere Weiterleitung zum Anbieter
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